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產品描述
參數
該設備為超高真空脈沖激光鍍膜設備,主要用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。
極限真空:2×10-6Pa
激光靶:4靶位一套,可公轉、自轉
基片尺寸:60mm
基片加熱溫度:0~700℃,可控,控溫精度±1℃
真空室球體內徑:Φ450mm
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